Итоги конкурса научных работ в Институте физики полупроводников

Июн 3, 2024 / 07:48

В результате проведения традиционного конкурса научных работ в Институте физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН были подведены итоги, которые оказались весьма впечатляющими. Участие в конкурсе приняли как молодые ученые, так и опытные специалисты, представившие лучшие результаты в области фундаментальных и прикладных исследований. Этот конкурс был посвящен 60-летию Института, что придало ему особую значимость. Директор ИФП СО РАН, академик РАН Александр Латышев, отметил важность мероприятия и выразил благодарность всем участникам.

Итоги конкурса научных работ в Институте физики полупроводников

В номинации «Фундаментальные исследования» победительницей стала доктор физико-математических наук Наталья Степина, чья работа была посвящена исследованию аномального магнетосопротивления и нелинейного эффекта Холла в пленках трехмерного топологического изолятора (Bi, Sb)2(Te, Se)3. Она подчеркнула, что трехмерные топологические изоляторы представляют собой новое состояние квантовой материи, где объем материала является узкозонным полупроводником, а поверхность - уникальным металлом, описываемым релятивистским уравнением Дирака. Наталья Степина является ведущим научным сотрудником лаборатории неравновесных полупроводниковых систем ИФП СО РАН.

Максим Аксенов, кандидат физико-математических наук и заведующий молодежной лабораторией, был признан лучшим в категории «Научно-прикладные исследования и технологические работы». Его работа была посвящена изучению влияния морфологии поверхности InAlAs и процесса отжига на электрофизические параметры Ti/InAlAs контактов Шоттки. Разработки Максима Аксенова направлены на создание мощных СВЧ-фотодиодов с барьером Шоттки. Максим Аксенов является заведующим молодежной лабораторией физико-технологических основ создания фотоприемных устройств на основе полупроводников A3B5 №12 ИФП СО РАН.

Надежда Небогатикова, старший научный сотрудник лаборатории физики и технологии трехмерных наноструктур, представила доклад о создании новых материалов для гибкой электроники с использованием графена. Ее работа заняла второе место в категории «Фундаментальные исследования». Надежда Небогатикова подчеркнула, что селенид висмута, выращенный на графене, способен выдерживать большие растяжения или изгибы, что увеличивает его прочность. Она является старшим научным сотрудником лаборатории физики и технологии трехмерных наноструктур ИФП СО РАН.

Всего в конкурсе было отмечено пять победителей: трое в номинации «Фундаментальные исследования» и двое в категории «Научно-прикладные исследования и технологические работы». Этот конкурс подчеркнул высокий уровень научных достижений сотрудников ИФП СО РАН и их значительный вклад в развитие физики полупроводников и нанотехнологий.

По материалам: poisknews.ru