Исследователи Университета Буффало сделали важное открытие в области наноэлектроники, предложив новый способ улучшения электронных устройств.
В статье, опубликованной в журнале ACS Nano, учёные продемонстрировали, как сочетание двумерных материалов с традиционным кремнием повышает эффективность технологий.
Современная наноэлектроника использует компоненты настолько мелкие, что они могут поместиться на кончике иглы, что критично для устройств, таких как компьютеры и смартфоны.
Под руководством докторов Хуамина Ли и Фей Яо, команда обнаружила, что тонкие двумерные материалы, такие как дисульфид молибдена (MoS2), значительно улучшают характеристики устройств.
Особенно примечательно, что двумерный материал толщиной менее одного нанометра, размещённый между металлом и кремнием, способен изменить поведение электрического тока, в частности, процесс инжекции заряда, значительно улучшая его.
Исследователи отметили, что независимо от используемого полупроводника, такие как MoS2 или графен, все они влияют на инжекцию заряда, но имеют схожее поведение при его сборе.
В определённых условиях двумерный материал ведёт себя почти невидимо для процесса сбора заряда.
Также исследование отражает важные аспекты энергетической зонной структуры и механизмов переноса заряда на границе двумерных и трёхмерных материалов, что критично для разработки будущих технологий и создания компактных, мощных электронных устройств.
